國(guó)星光電用什么mocvd設(shè)備，led芯片制造流程中使用的設(shè)備

來(lái)源：整理時(shí)間：2023-07-13 11:56:40 編輯：金融知識(shí) 手機(jī)版

本文目錄一覽

1，led芯片制造流程中使用的設(shè)備
2，mocvd設(shè)備是做什么的怎么運(yùn)作的
3，MOCVD設(shè)備
4，誰(shuí)能幫忙提供一些關(guān)于MOCVD的硬件知識(shí)嗎
5，MOCVD是做什么用的售價(jià)好像很高

1，led芯片制造流程中使用的設(shè)備

上游所需設(shè)備：MOCVD ICP刻蝕機(jī)，光刻機(jī)，PECVD中游所需設(shè)備：ICP刻蝕機(jī)，光刻機(jī)，蒸發(fā)臺(tái)，濺射臺(tái)，激光劃片機(jī)下游所需設(shè)備：固晶機(jī)，焊線機(jī)等。

led芯片制造流程中使用的設(shè)備

2，mocvd設(shè)備是做什么的怎么運(yùn)作的

MOCVD是生長(zhǎng)LED包括紅光、黃光、藍(lán)光、黃綠光，半導(dǎo)體激光器。主要是通過(guò)H2作為載氣常壓下或低壓下生長(zhǎng)GaAs或藍(lán)寶石等

是生產(chǎn)LED的前段工序

MOCVD是做外延片的。外延片是做芯片的前端素材。外延片的前端是的藍(lán)寶石襯底。

mocvd設(shè)備是做什么的怎么運(yùn)作的

3，MOCVD設(shè)備

MOCVD設(shè)備是LED藍(lán)寶石基片外延的專業(yè)設(shè)備，一塊2英寸0.43mm厚度的藍(lán)寶石外延后可以做55000個(gè)超亮LED燈的基片，液晶顯示器的背投光源現(xiàn)在也都選擇藍(lán)寶石外延片做，藍(lán)寶石的化學(xué)名稱叫三氧化二鋁，硬度9級(jí)僅次于金剛石。MOCVD設(shè)備目前世界上只有美國(guó)、德國(guó)兩個(gè)廠能造，想買還要排隊(duì)等。還沒(méi)有聽(tīng)說(shuō)有那個(gè)廠出試驗(yàn)型的，技術(shù)難度太大了。

mocvd是金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積(metal-organic chemical vapor deposition)的英文縮寫(xiě)。mocvd是在氣相外延生長(zhǎng)(vpe)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種新型氣相外延生長(zhǎng)技術(shù).它以ⅲ族、ⅱ族元素的有機(jī)化合物和v、ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長(zhǎng)源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生長(zhǎng)各種ⅲ-v族、ⅱ-ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。通常mocvd系統(tǒng)中的晶體生長(zhǎng)都是在常壓或低壓(10-100torr)下通h2的冷壁石英(不銹鋼)反應(yīng)室中進(jìn)行，襯底溫度為500-1200℃,用射頻感應(yīng)加熱石墨基座(襯底基片在石墨基座上方),h2通過(guò)溫度可控的液體源鼓泡攜帶金屬有機(jī)物到生長(zhǎng)區(qū)。 mocvd技術(shù)具有下列優(yōu)點(diǎn): (l)適用范圍廣泛，幾乎可以生長(zhǎng)所有化合物及合金半導(dǎo)體; (2)非常適合于生長(zhǎng)各種異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料; (3)可以生長(zhǎng)超薄外延層，并能獲得很陡的界面過(guò)渡; (4)生長(zhǎng)易于控制; (5)可以生長(zhǎng)純度很高的材料; (6)外延層大面積均勻性良好; (7)可以進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。 mocvd系統(tǒng)組成因?yàn)閙ocvd生長(zhǎng)使用的源是易燃、易爆、毒性很大的物質(zhì)，并且要生長(zhǎng)多組分、大面積、薄層和超薄層異質(zhì)材料。因此在mocvd系統(tǒng)的設(shè)計(jì)思想上，通常要考慮系統(tǒng)密封性，流量、溫度控制要精確，組分變換要迅速，系統(tǒng)要緊湊等。不同廠家和研究者所產(chǎn)生或組裝的mocvd設(shè)備是不同的，但一般來(lái)說(shuō),mocvd設(shè)備是由源供給系統(tǒng)、氣體輸運(yùn)和流量控制系統(tǒng)、反應(yīng)室及溫度控制系統(tǒng)、尾氣處理及安全防護(hù)報(bào)警系統(tǒng)、自動(dòng)操作及電控系統(tǒng)。謝謝請(qǐng)采納

MOCVD設(shè)備

4，誰(shuí)能幫忙提供一些關(guān)于MOCVD的硬件知識(shí)嗎

MOCVD設(shè)備將Ⅱ或Ⅲ族金屬有機(jī)化合物與Ⅳ或Ⅴ族元素的氫化物相混合后通入反應(yīng)腔，混合氣體流經(jīng)加熱的襯底表面時(shí)，在襯底表面發(fā)生熱分解反應(yīng)，并外延生長(zhǎng)成化合物單晶薄膜。與其他外延生長(zhǎng)技術(shù)相比，MOCVD技術(shù)有著如下優(yōu)點(diǎn)：（1）用于生長(zhǎng)化合物半導(dǎo)體材料的各組分和摻雜劑都是以氣態(tài)的方式通入反應(yīng)室，因此，可以通過(guò)精確控制氣態(tài)源的流量和通斷時(shí)間來(lái)控制外延層的組分、摻雜濃度、厚度等?？梢杂糜谏L(zhǎng)薄層和超薄層材料。（2）反應(yīng)室中氣體流速較快。因此，在需要改變多元化合物的組分和摻雜濃度時(shí)，可以迅速進(jìn)行改變，減小記憶效應(yīng)發(fā)生的可能性。這有利于獲得陡峭的界面，適于進(jìn)行異質(zhì)結(jié)構(gòu)和超晶格、量子阱材料的生長(zhǎng)。（3）晶體生長(zhǎng)是以熱解化學(xué)反應(yīng)的方式進(jìn)行的，是單溫區(qū)外延生長(zhǎng)。只要控制好反應(yīng)源氣流和溫度分布的均勻性，就可以保證外延材料的均勻性。因此，適于多片和大片的外延生長(zhǎng)，便于工業(yè)化大批量生產(chǎn)。（4）通常情況下，晶體生長(zhǎng)速率與Ⅲ族源的流量成正比，因此，生長(zhǎng)速率調(diào)節(jié)范圍較廣。較快的生長(zhǎng)速率適用于批量生長(zhǎng)。（5）使用較靈活。原則上只要能夠選擇合適的原材料就可以進(jìn)行包含該元素的材料的MOCVD生長(zhǎng)。而可供選擇作為反應(yīng)源的金屬有機(jī)化合物種類較多，性質(zhì)也有一定的差別。（6）由于對(duì)真空度的要求較低，反應(yīng)室的結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單。（7）隨著檢測(cè)技術(shù)的發(fā)展，可以對(duì)MOCVD的生長(zhǎng)過(guò)程進(jìn)行在位監(jiān)測(cè)。實(shí)際上，對(duì)于MOCVD和MBE技術(shù)來(lái)說(shuō)，采用它們所制備的外延結(jié)構(gòu)和器件的性能沒(méi)有很大的差別。MOCVD技術(shù)最吸引入的地方在于它的通用性，只要能夠選取到合適的金屬有機(jī)源就可以進(jìn)行外延生長(zhǎng)。而且只要保證氣流和溫度的均勻分布就可以獲得大面積的均勻材料，適合進(jìn)行大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。 MOCVD技術(shù)的主要缺點(diǎn)大部分均與其所采用的反應(yīng)源有關(guān)。首先是所采用的金屬有機(jī)化合物和氫化物源價(jià)格較為昂貴，其次是由于部分源易燃易爆或者有毒，因此有一定的危險(xiǎn)性，并且，反應(yīng)后產(chǎn)物需要進(jìn)行無(wú)害化處理，以避免造成環(huán)境污染。另外，由于所采用的源中包含其他元素（如C，H等），需要對(duì)反應(yīng)過(guò)程進(jìn)行仔細(xì)控制以避免引入非故意摻雜的雜質(zhì)。通常MOCVD生長(zhǎng)的過(guò)程可以描述如下：被精確控制流量的反應(yīng)源材料在載氣（通常為H2，也有的系統(tǒng)采用N2）的攜帶下被通入石英或者不銹鋼的反應(yīng)室，在襯底上發(fā)生表面反應(yīng)后生長(zhǎng)外延層，襯底是放置在被加熱的基座上的。在反應(yīng)后殘留的尾氣被掃出反應(yīng)室，通過(guò)去除微粒和毒性的尾氣處理裝置后被排出系統(tǒng)。MOCVD工作原理如圖所示。圖 MOCVD的工作流程圖一臺(tái)MOCVD生長(zhǎng)設(shè)備可以簡(jiǎn)要地分為以下的4個(gè)部分。（1）氣體操作系統(tǒng)：氣體操作系統(tǒng)包括控制Ⅲ族金屬有機(jī)源和V族氫化物源的氣流及其混合物所采用的所有的閥門、泵以及各種設(shè)備和管路。其中，最重要的是對(duì)通入反應(yīng)室進(jìn)行反應(yīng)的原材料的量進(jìn)行精確控制的部分。主要包括對(duì)流量進(jìn)行控制的質(zhì)量流量控制計(jì)（MFC），對(duì)壓力進(jìn)行控制的壓力控制器（PC）和對(duì)金屬有機(jī)源實(shí)現(xiàn)溫度控制的水浴恒溫槽（Thor·mal Bath）。（2）反應(yīng)室：反應(yīng)室是MOCVD生長(zhǎng)系統(tǒng)的核心組成部分，反應(yīng)室的設(shè)計(jì)對(duì)生長(zhǎng)的效果有至關(guān)重要的影響。不同的MOCVD設(shè)備的生產(chǎn)廠家對(duì)反應(yīng)室的設(shè)計(jì)也有所不同。但是，最終的目的是相同的，即避免在反應(yīng)室中出現(xiàn)離壁射流和湍流的存在，保證只存在層流，從而實(shí)現(xiàn)在反應(yīng)室內(nèi)的氣流和溫度的均勻分布，有利于大面積均勻生長(zhǎng)。（3）加熱系統(tǒng)： MOCVD系統(tǒng)中襯底的加熱方式主要有三種：射頻加熱，紅外輻射加熱和電阻加熱。在射頻加熱方式中，石墨的基座被射頻線圈通過(guò)誘導(dǎo)耦合加熱。這種加熱形式在大型的反應(yīng)室中經(jīng)常采用，但是通常系統(tǒng)過(guò)于復(fù)雜。為了避免系統(tǒng)的復(fù)雜性，在稍小的反應(yīng)室中，通常采用紅外輻射加熱方式。鹵鎢燈產(chǎn)生的熱能被轉(zhuǎn)化為紅外輻射能，石墨的基座吸收這種輻射能并將其轉(zhuǎn)化回?zé)崮?。在電阻加熱方式中，熱能是由通過(guò)金屬基座中的電流流動(dòng)來(lái)提供的。（4）尾氣處理系統(tǒng)：由于MOCVD系統(tǒng)中所采用的大多數(shù)源均易燃易爆，雨其中的氫化物源又有劇毒，因此，必須對(duì)反應(yīng)過(guò)后的尾氣進(jìn)行處理。通常采用的處理方式是將尾氣先通過(guò)微粒過(guò)濾器去除其中的微粒（如P等）后，再將其通入氣體洗滌器（Scrubber）采用解毒溶液進(jìn)行解毒。另外一種解毒的方式是采用燃燒室。在燃燒室中包括一個(gè)高溫爐，可以在900～1 000℃下，將尾氣中的物質(zhì)進(jìn)行熱解和氧化，從而實(shí)現(xiàn)無(wú)害化。反應(yīng)生成的產(chǎn)物被淀積在石英管的內(nèi)壁上，可以很容易去除。

5，MOCVD是做什么用的售價(jià)好像很高

MOCVD是做LED外延片生產(chǎn)必需的設(shè)備，生產(chǎn)型MOCVD的售價(jià)一般在1000萬(wàn)~2000萬(wàn)元，價(jià)格高低是根據(jù)設(shè)備的片數(shù)來(lái)劃分的，現(xiàn)在已經(jīng)達(dá)到了42、45、49片了，目前世界缺貨量達(dá)到了600臺(tái)。為了節(jié)約成本，國(guó)內(nèi)一些廠家生產(chǎn)的都是6片機(jī)，生產(chǎn)效率有嚴(yán)重差距。國(guó)內(nèi)一些廠家也有進(jìn)口的，像深圳的BYD啊，什么的。

MOCVD是金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相淀積(Metal-organic Chemical Vapor DePosition)的英文縮寫(xiě)。MOCVD是在氣相外延生長(zhǎng)(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種新型氣相外延生長(zhǎng)技術(shù).它以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長(zhǎng)源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生長(zhǎng)各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。通常MOCVD系統(tǒng)中的晶體生長(zhǎng)都是在常壓或低壓(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不銹鋼)反應(yīng)室中進(jìn)行，襯底溫度為500-1200℃,用射頻感應(yīng)加熱石墨基座(襯底基片在石墨基座上方),H2通過(guò)溫度可控的液體源鼓泡攜帶金屬有機(jī)物到生長(zhǎng)區(qū)。 MOCVD技術(shù)具有下列優(yōu)點(diǎn): (l)適用范圍廣泛，幾乎可以生長(zhǎng)所有化合物及合金半導(dǎo)體; (2)非常適合于生長(zhǎng)各種異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料; (3)可以生長(zhǎng)超薄外延層，并能獲得很陡的界面過(guò)渡; (4)生長(zhǎng)易于控制; (5)可以生長(zhǎng)純度很高的材料; (6)外延層大面積均勻性良好; (7)可以進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。 MOCVD系統(tǒng)組成因?yàn)镸OCVD生長(zhǎng)使用的源是易燃、易爆、毒性很大的物質(zhì)，并且要生長(zhǎng)多組分、大面積、薄層和超薄層異質(zhì)材料。因此在MOCVD系統(tǒng)的設(shè)計(jì)思想上，通常要考慮系統(tǒng)密封性，流量、溫度控制要精確，組分變換要迅速，系統(tǒng)要緊湊等。不同廠家和研究者所產(chǎn)生或組裝的MOCVD設(shè)備是不同的，但一般來(lái)說(shuō),MOCVD設(shè)備是由源供給系統(tǒng)、氣體輸運(yùn)和流量控制系統(tǒng)、反應(yīng)室及溫度控制系統(tǒng)、尾氣處理及安全防護(hù)報(bào)警系統(tǒng)、自動(dòng)操作及電控系統(tǒng)等組成。 l)源供給系統(tǒng) 包括Ⅲ族金屬有機(jī)化合物、V族氫化物及摻雜源的供給。金屬有機(jī)化合物裝在特制的不銹剛的鼓泡器中，由通入的高純H2攜帶輸運(yùn)到反應(yīng)室。為了保證金屬有機(jī)化合物有恒定的蒸汽壓，源瓶置入電子恒溫器中，溫度控制精度可達(dá)0.2℃以下。氫化物一般是經(jīng)高純H2稀釋到濃度5%一10%后，裝入鋼瓶中，使用時(shí)再用高純H2稀釋到所需濃度后，輸運(yùn)到反應(yīng)室。摻雜源有兩類，一類是金屬有機(jī)化合物，另一類是氫化物，其輸運(yùn)方法分別與金屬有機(jī)化合物源和氫化物源的輸運(yùn)相同。 2)氣體輸運(yùn)系統(tǒng) 氣體的輸運(yùn)管都是不銹鋼管道。為了防止存儲(chǔ)效應(yīng)，管內(nèi)進(jìn)行了電解拋光。管道的接頭用氫弧焊或VCR及Swagelok方式連接，并進(jìn)行正壓檢漏及Snoop液體或He泄漏檢測(cè)，保證反應(yīng)系統(tǒng)無(wú)泄漏是MOCVD設(shè)備組裝的關(guān)鍵之一。流量是由不同量程、響應(yīng)時(shí)間快、精度高的質(zhì)量流量計(jì)和電磁閥、氣動(dòng)閥等來(lái)實(shí)現(xiàn)。在真空系統(tǒng)與反應(yīng)室之間設(shè)有過(guò)濾器，以防油污或其它顆粒倒吸到反應(yīng)室中。為了迅速變化反應(yīng)室內(nèi)的反應(yīng)氣體，而且不引起反應(yīng)室內(nèi)壓力的變化，設(shè)置“run”和“vent，，管道。 3)反應(yīng)室和加熱系統(tǒng) 反應(yīng)室是由石英管和石墨基座組成。為了生長(zhǎng)組分均勻、超薄層、異質(zhì)結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體材料，各生產(chǎn)廠家和研究者在反應(yīng)室結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)上下了很大功夫，設(shè)計(jì)出了不同結(jié)構(gòu)的反應(yīng)室。石墨基座是由高純石墨制成，并包裹SIC層。加熱多采用高頻感應(yīng)加熱，少數(shù)是輻射加熱。由熱電偶和溫度控制器來(lái)控制溫度，一般溫度控制精度可達(dá)到0.2℃或更低。 4)尾氣處理系統(tǒng) 反應(yīng)氣體經(jīng)反應(yīng)室后大部分熱分解，但還有部分尚未完全分解，因此尾氣不能直接排放到大氣中，必須先進(jìn)行處理，處理方法主要有高溫?zé)峤鉅t再一次熱分解，再用硅油或高錳酸鉀溶液處理;也可以把尾氣直接通入裝有H2SO4+H2O及裝有NaOH溶液的吸濾瓶處理;也有的把尾氣通入固體吸附劑中吸附處理，以及用水淋洗尾氣等。 5)安全保護(hù)及報(bào)警系統(tǒng) 為了安全，一般的MOCVD系統(tǒng)還備有高純從旁路系統(tǒng)，在斷電或其它原因引起的不能正常工作時(shí)，通入純N2保護(hù)生長(zhǎng)的片子或系統(tǒng)內(nèi)的清潔。在停止生長(zhǎng)期間也有常通高純N2保護(hù)系統(tǒng)。 6)手動(dòng)和自動(dòng)控制系統(tǒng) 一般MOCVD設(shè)備都具有手動(dòng)和微機(jī)自動(dòng)控制操作兩種功能。在控制系統(tǒng)面板上設(shè)有閥門開(kāi)關(guān)、各個(gè)管路氣體流量、溫度的設(shè)定及數(shù)字顯示，如有問(wèn)題會(huì)自動(dòng)報(bào)警，是操作者能及時(shí)了解設(shè)備運(yùn)轉(zhuǎn)的情況。此外，MOCVD設(shè)備一般都設(shè)在具有強(qiáng)排風(fēng)的工作室內(nèi)。目前全球及國(guó)內(nèi)的MOCVD系統(tǒng) 隨著化合物半導(dǎo)體器件(如 GaAs MMIC、 InP MMIC以及GaN藍(lán)光LED)市場(chǎng)的不斷擴(kuò)大，MOCVD系統(tǒng)的需求量不斷增長(zhǎng)。目前國(guó)際上實(shí)力最為雄厚的MOCVD系統(tǒng)制造商有:德國(guó)Aixtron公司、美國(guó)的Emcore公司、英國(guó)的Thomass~(1999年被Aixtron兼并)等。因?yàn)镸OCVD系統(tǒng)最關(guān)鍵的問(wèn)題就是保證材料生長(zhǎng)的均勻性和重復(fù)性，因此不同廠家的MOCVD系統(tǒng)最主要的區(qū)別在于反應(yīng)室結(jié)構(gòu)。Aixtron采用行星反應(yīng)(Planetary Reactor)，Emcore采用TurboDisc反應(yīng)室(該業(yè)務(wù)己出售給Veeeo公司)、Thomas Swan(該公司于2003年2月份被Aixtron兼并)采用 Closed Coupled Showerhead(CCS)反應(yīng)室。目前國(guó)內(nèi)擁有的進(jìn)口MOCVD系統(tǒng)數(shù)十臺(tái)，其中 Aixtron MOCVD系統(tǒng)和Emcore MOCVD系統(tǒng)占絕大多數(shù)，有少量的 Thomas Swan MOCVD系統(tǒng)、法國(guó)ASM MOCVD系統(tǒng)和日本RIPPON SANSO MOCVD系統(tǒng)，主要用于GaN LD/LED的研究和制造。