led外延片有什么用，LED外延是什么啊

來源：整理時間：2023-07-13 10:51:33 編輯：金融知識手機(jī)版

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1，LED外延是什么啊
2，LED 外延片的問題請幫忙解釋下
3，LED中講的外延片的內(nèi)量子效率是什么意思啊
4，什么是LED外延片什么是襯底能詳細(xì)解釋一下嗎對于LED一點(diǎn)
5，LED外延片什么是LED外延片

1，LED外延是什么啊

是室外的LED電子屏。防水的

LED外延是什么啊

2，LED 外延片的問題請幫忙解釋下

樓主你好！首先請您了解LED雖有無數(shù)優(yōu)點(diǎn)，但它的致命缺點(diǎn)就是熱量產(chǎn)生大，且不易散出去，這是影響LED壽命最重要的因素，所以一般工藝都會在LED上加各種外延片用于散熱，借此來提高其發(fā)光效率和使用壽命。所以LED外延片的主要作用就是散熱。謝謝！我從事LED行業(yè)有幾年了，也在不斷學(xué)習(xí)中，有空請多多交流指教。謝謝！

LED 外延片的問題請幫忙解釋下

3，LED中講的外延片的內(nèi)量子效率是什么意思啊

當(dāng)在LED的PN結(jié)上施加正向電壓時，PN結(jié)會有電流流過。電子和空穴在PN過渡層中復(fù)合會產(chǎn)生光子，然而并不是每一對電子空穴對復(fù)合都會產(chǎn)生光子，由于LED的PN結(jié)，作為雜質(zhì)半導(dǎo)體，存在著材料品質(zhì)缺陷、位錯等因素，以及工藝上的種種缺陷，會產(chǎn)生雜質(zhì)電離、本征激發(fā)散射和晶格散射的問題，使電子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時會與晶格原子或離子交換能量而發(fā)生無輻射躍遷，也就是不產(chǎn)生光子，這部分能量不轉(zhuǎn)換成光能而轉(zhuǎn)換成熱能損耗在PN結(jié)內(nèi)，于是就有一個復(fù)合載流子轉(zhuǎn)換成光子的轉(zhuǎn)換效率問題存在，可以用式1表示這一轉(zhuǎn)換效率，并符號ηint表示。ηint=（復(fù)合載流子產(chǎn)生的光子數(shù)/復(fù)合載流子總數(shù)）×100% （1）因?yàn)闊o法去計(jì)數(shù)式（1）中的復(fù)合載流子總數(shù)和產(chǎn)生的光子總數(shù)。一般是通過測量LED輸出的光功率來評價這一效率，這個效率ηint就稱為內(nèi)量子效率。

任務(wù)占坑

LED中講的外延片的內(nèi)量子效率是什么意思啊

4，什么是LED外延片什么是襯底能詳細(xì)解釋一下嗎對于LED一點(diǎn)

外延片：包括外延層和襯底。襯底即相當(dāng)于是基板，外延層就相當(dāng)于沉積在基板上的物質(zhì)。目前藍(lán)寶石襯底、硅襯底技術(shù)成熟，用得比較多。外延層是通過一系列的MO源在一定溫度制度、壓力制度下沉積生長在襯底上的功能復(fù)合層。MOCVD即金屬有機(jī)化學(xué)氣象沉積，目前外延片的生產(chǎn)基本都是采用這種氣相外延的方法。另外還有液相外延法，不過技術(shù)難度大，不易控制，不能實(shí)現(xiàn)工業(yè)化生產(chǎn)。。

1.襯底是指藍(lán)寶石晶棒或者是硅經(jīng)過切片，清洗，還沒有其他工藝加工的裸片。也叫基片。2.外延片是指經(jīng)過mocvd加工的片子。外延生長的基本原理是：在一塊加熱至適當(dāng)溫度的襯底基片（主要有藍(lán)寶石和、sic、si）上，氣態(tài)物質(zhì)ingaalp有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。具體流程是襯底 - 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) - 緩沖層生長 - n型gan層生長 - 多量子阱發(fā)光層生 - p型gan層生長 - 退火 - 檢測（光熒光、x射線） - 外延片芯片則是最后的工藝，在外延片上進(jìn)一步加工的來的。具體流程是外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→sio2沉積→窗口圖形光刻→sio2腐蝕→去膠→n極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→p極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。

5，LED外延片什么是LED外延片

　led外延片　　led外延片生長的基本原理是：在一塊加熱至適當(dāng)溫度的襯底基片(主要有藍(lán)寶石和、sic、si)上，氣態(tài)物質(zhì)ingaalp有控制的輸送到襯底表面，生長出特定單晶薄膜。目前l(fā)ed外延片生長技術(shù)主要采用有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積方法。　　led外延片襯底材料是半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展的基石。不同的襯底材料，需要不同的led外延片生長技術(shù)、芯片加工技術(shù)和器件封裝技術(shù)，襯底材料決定了半導(dǎo)體照明技術(shù)的發(fā)展路線?！　ed外延片襯底材料選擇特點(diǎn)：　　1、結(jié)構(gòu)特性好，外延材料與襯底的晶體結(jié)構(gòu)相同或相近、晶格常數(shù)失配度小、結(jié)晶性能好、缺陷密度小　　2、界面特性好，有利于外延材料成核且黏附性強(qiáng)　　3、化學(xué)穩(wěn)定性好，在外延生長的溫度和氣氛中不容易分解和腐蝕　　4、熱學(xué)性能好，包括導(dǎo)熱性好和熱失配度小　　5、導(dǎo)電性好，能制成上下結(jié)構(gòu) 6、光學(xué)性能好，制作的器件所發(fā)出的光被襯底吸收小　　7、機(jī)械性能好，器件容易加工，包括減薄、拋光和切割等　　8、價格低廉?！　?、大尺寸，一般要求直徑不小于2英吋?！　?0、容易得到規(guī)則形狀襯底(除非有其他特殊要求)，與外延設(shè)備托盤孔相似的襯底形狀才不容易形成不規(guī)則渦流，以至于影響外延質(zhì)量?！　?1、在不影響外延質(zhì)量的前提下，襯底的可加工性盡量滿足后續(xù)芯片和封裝加工工藝要求?！　∫r底的選擇要同時滿足以上十一個方面是非常困難的。所以，目前只能通過外延生長技術(shù)的變更和器件加工工藝的調(diào)整來適應(yīng)不同襯底上的半導(dǎo)體發(fā)光器件的研發(fā)和生產(chǎn)。用于氮化鎵研究的襯底材料比較多，但是能用于生產(chǎn)的襯底目前只有二種，即藍(lán)寶石al2o3和碳化硅sic襯底

普朗克光電為您解答，外延片指的是在晶體結(jié)構(gòu)匹配的單晶材料上生長出來的半導(dǎo)體薄膜，以GaN為例，在藍(lán)寶石(Al2O3)上生長一層結(jié)構(gòu)復(fù)雜的GaN薄膜（包括n-GaN,量子阱,n-GaN等），這層薄膜就叫做外延。而芯片指的是把外延進(jìn)行加工，其主要目的是在外延上加上電極，以便與封裝和應(yīng)用。芯片的主要材料為單晶硅不正確，仍為GaN材料?？梢哉f外延是芯片的原材料，芯片就是在外延的基礎(chǔ)上增加了電極（有的芯片還做鈍化膜，反射鏡等等）