csp錫球材料是什么成份，STS304CSP是什么材料

來源：整理時(shí)間：2023-07-19 10:41:43 編輯：金融知識(shí) 手機(jī)版

本文目錄一覽

1，STS304CSP是什么材料
2，sus301csp與SUS301有什么區(qū)別
3，STC5CSP是什么材質(zhì)
4，SUS301CSP是什么東西
5，什么是CSP

1，STS304CSP是什么材料

韓國(guó)的標(biāo)準(zhǔn)，等同于中國(guó)的SUS304。

是美國(guó)標(biāo)準(zhǔn) 304不銹鋼相當(dāng)于中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)3cr13

STS304CSP是什么材料

2，sus301csp與SUS301有什么區(qū)別

如果上述材料要注明它屬於板料在其后面加（-CP）（例SUS301-CP）如果上述材料要注明它屬於片料在其后面加（-CS）（例SUS301-CS）

sus301csp與SUS301有什么區(qū)別

3，STC5CSP是什么材質(zhì)

耐蝕元素高，耐蝕性更好，而且冷加工馬氏體傾向相對(duì)小的一種碳素工具鋼

你好！STCr0.5-1.5是什么鑄件僅代表個(gè)人觀點(diǎn)，不喜勿噴，謝謝。

STC5CSP是什么材質(zhì)

4，SUS301CSP是什么東西

SUS301-CSP是日本不銹彈簧鋼的一種,CSP的意思是連鑄連軋，一種不銹鋼的生產(chǎn)工藝。

SUS301-CSP屬于日標(biāo)彈簧用冷軋不銹鋼帶，執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：JIS G 4313-2011SUS301-CSP中CSP的意思是連鑄連軋，一種不銹鋼的生產(chǎn)工藝。SUS301-CSP化學(xué)成分如下圖：

csp的意思是連鑄連軋，應(yīng)該是一種不銹鋼的生產(chǎn)工藝。

就是成卷的鋼板或鋼帶,更薄的，可以稱箔帶（卷),興永和就是做這個(gè)的。

5，什么是CSP

　　CSP（Chip Scale Package），是芯片級(jí)封裝的意思。CSP封裝最新一代的內(nèi)存芯片封裝技術(shù)，其技術(shù)性能又有了新的提升。CSP封裝可以讓芯片面積與封裝面積之比超過1:1.14，已經(jīng)相當(dāng)接近1:1的理想情況，絕對(duì)尺寸也僅有32平方毫米，約為普通的BGA的1/3，僅僅相當(dāng)于TSOP內(nèi)存芯片面積的1/6。與BGA封裝相比，同等空間下CSP封裝可以將存儲(chǔ)容量提高三倍。 CSP封裝內(nèi)存　　CSP封裝內(nèi)存不但體積小，同時(shí)也更薄，其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.2毫米，大大提高了內(nèi)存芯片在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行后的可靠性，線路阻抗顯著減小，芯片速度也隨之得到大幅度提高。　　CSP封裝內(nèi)存芯片的中心引腳形式有效地縮短了信號(hào)的傳導(dǎo)距離，其衰減隨之減少，芯片的抗干擾、抗噪性能也能得到大幅提升，這也使得CSP的存取時(shí)間比BGA改善15%－20%。在CSP的封裝方式中，內(nèi)存顆粒是通過一個(gè)個(gè)錫球焊接在PCB板上，由于焊點(diǎn)和PCB板的接觸面積較大，所以內(nèi)存芯片在運(yùn)行中所產(chǎn)生的熱量可以很容易地傳導(dǎo)到PCB板上并散發(fā)出去。CSP封裝可以從背面散熱，且熱效率良好，CSP的熱阻為35℃/W，而TSOP熱阻40℃/W。

中流砥柱—TinyBGA封裝 20世紀(jì)90年代隨著集成技術(shù)的進(jìn)步、設(shè)備的改進(jìn)和深亞微米技術(shù)的使用，芯片集成度不斷提高，I/O引腳數(shù)急劇增加，功耗也隨之增大，對(duì)集成電路封裝的要求也更加嚴(yán)格。為滿足發(fā)展的需要，在原有封裝方式的基礎(chǔ)上，又增添了新的方式－球柵陣列封裝，簡(jiǎn)稱BGA（Ball Grid Array Package）。BGA封裝技術(shù)已經(jīng)在GPU（圖形處理芯片）、主板芯片組等大規(guī)模集成電路的封裝領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用[ 3 ]。而TinyBGA（Tiny Ball Grid Array，小型球柵陣列封裝）就是微型BGA的意思，TinyBGA屬于BGA封裝技術(shù)的一個(gè)分支，采用BT樹脂以替代傳統(tǒng)的TSOP技術(shù)，具有更小的體積，更好的散熱性能和電性能。目前高端顯卡的顯存以及DDR333、DDR400內(nèi)存上都是采用這一封裝技術(shù)的產(chǎn)品 TinyBGA封裝的芯片與普通TSOP封裝的芯片相比，有以下幾個(gè)特點(diǎn)：一、單位容量?jī)?nèi)的存儲(chǔ)空間大大增加，相同大小的兩片內(nèi)存顆粒，TinyBGA封裝方式的容量能比TSOP高一倍，成本也不會(huì)有明顯上升，而且當(dāng)內(nèi)存顆粒的制程小于0.25微米時(shí)，TinyBGA封裝的成本比TSOP還要低。二、具有較高的電氣性能。TinyBGA封裝的芯片通過底部的錫球與PCB板相連，有效地縮短了信號(hào)的傳輸距離，信號(hào)傳輸線的長(zhǎng)度僅是傳統(tǒng)TSOP技術(shù)的四分之一，信號(hào)的衰減也隨之下降，能夠大幅度提升芯片的抗干擾性能。三、具有更好的散熱能力。TinyBGA封裝的內(nèi)存，不但體積比相同容量的TSOP封裝芯片小，同時(shí)也更?。ǚ庋b高度小于0.8毫米），從金屬基板到散熱體的有效散熱路徑僅有0.36毫米。相比之下，TinyBGA方式封裝的內(nèi)存擁有更高的熱傳導(dǎo)效率，TinyBGA封裝的熱抗阻比TSOP低75％[ 1 ]。采用TinyBGA新技術(shù)封裝的內(nèi)存，可以使所有計(jì)算機(jī)中的DRAM內(nèi)存在體積不變的情況下內(nèi)存容量提高兩到三倍，TinyBGA與TSOP相比，具有更小的體積，更好的散熱性能和電性能。TinyBGA封裝技術(shù)使每平方英寸的存儲(chǔ)量有了很大提升，采用TinyBGA封裝技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品在相同容量下，體積只有TSOP封裝的三分之一；另外，與傳統(tǒng)TSOP封裝方式相比，TinyBGA封裝方式有更加快速和有效的散熱途徑。不過TinyBGA封裝仍然存在著占用基板面積較大的問題。目前隨著以處理器為主的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)性能的總體大幅度提升趨勢(shì)，人們對(duì)于內(nèi)存的品質(zhì)和性能要求也日趨苛刻。為此，人們要求內(nèi)存封裝更加緊致，以適應(yīng)大容量的內(nèi)存芯片，同時(shí)也要求內(nèi)存封裝的散熱性能更好，以適應(yīng)越來越快的核心頻率。毫無疑問的是，進(jìn)展不太大的TSOP等內(nèi)存封裝技術(shù)也越來越不適用于高頻、高速的新一代內(nèi)存的封裝需求，新的內(nèi)存封裝技術(shù)也應(yīng)運(yùn)而生了。一般來說，F(xiàn)BGA封裝方式會(huì)比TSOP來的好， TSOP封裝的針腳在外，而FBGA針腳在內(nèi)，比較不容易受到外在環(huán)境的干擾；此外，F(xiàn)BGA封裝的顆粒也比較小，在512MB或1G以上的記憶體模組大都采用FBGA封裝。明日之星—CSP封裝在BGA技術(shù)開始推廣的同時(shí)，另外一種從BGA發(fā)展來的CSP封裝技術(shù)（如圖3所示）正在逐漸展現(xiàn)它生力軍本色，金士頓、勤茂科技等領(lǐng)先內(nèi)存制造商已經(jīng)推出了采用CSP封裝技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品。CSP，全稱為Chip Scale Package，即芯片尺寸封裝的意思。作為新一代的芯片封裝技術(shù)，在BGA、TSOP的基礎(chǔ)上，CSP的性能又有了革命性的提升。CSP封裝可以讓芯片面積與封裝面積之比超過1：1.14，已經(jīng)相當(dāng)接近1：1的理想情況，絕對(duì)尺寸也僅有32平方毫米，約為普通的BGA的1/3，僅僅相當(dāng)于TSOP內(nèi)存芯片面積的1/6。這樣在相同體積下，內(nèi)存條可以裝入更多的芯片，從而增大單條容量。也就是說，與BGA封裝相比，同等空間下CSP封裝可以將存儲(chǔ)容量提高三倍，圖4展示了三種封裝技術(shù)內(nèi)存芯片的比較，從中我們可以清楚的看到內(nèi)存芯片封裝技術(shù)正向著更小的體積方向發(fā)展。CSP封裝內(nèi)存不但體積小，同時(shí)也更薄，其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.2mm，大大提高了內(nèi)存芯片在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行后的可靠性，線路阻抗顯著減小，芯片速度也隨之得到大幅度的提高。CSP封裝的電氣性能和可靠性也相比BGA、TOSP有相當(dāng)大的提高。在相同的芯片面積下CSP所能達(dá)到的引腳數(shù)明顯的要比TSOP、BGA引腳數(shù)多的多（TSOP最多304根，BGA以600根為限，CSP原則上可以制造1000根），這樣它可支持I/O端口的數(shù)目就增加了很多。此外，CSP封裝內(nèi)存芯片的中心引腳形式有效的縮短了信號(hào)的傳導(dǎo)距離，其衰減隨之減少，芯片的抗干擾、抗噪性能也能得到大幅提升，這也使得CSP的存取時(shí)間比BGA改善15%－20%。在CSP的封裝方式中，內(nèi)存顆粒是通過一個(gè)個(gè)錫球焊接在PCB板上，由于焊點(diǎn)和PCB板的接觸面積較大，所以內(nèi)存芯片在運(yùn)行中所產(chǎn)生的熱量可以很容易地傳導(dǎo)到PCB板上并散發(fā)出去；而傳統(tǒng)的TSOP封裝方式中，內(nèi)存芯片是通過芯片引腳焊在PCB板上的，焊點(diǎn)和PCB板的接觸面積較小，使得芯片向PCB板傳熱就相對(duì)困難。CSP封裝可以從背面散熱，且熱效率良好，CSP的熱阻為35℃/W，而TSOP熱阻40℃/W。測(cè)試結(jié)果顯示，運(yùn)用CSP封裝的內(nèi)存可使傳導(dǎo)到PCB板上的熱量高達(dá)88.4%，而TSOP內(nèi)存中傳導(dǎo)到PCB板上的熱量能為71.3%。另外由于CSP芯片結(jié)構(gòu)緊湊，電路冗余度低，因此它也省去了很多不必要的電功率消耗，致使芯片耗電量和工作溫度相對(duì)降低。目前內(nèi)存顆粒廠在制造DDR333和DDR400內(nèi)存的時(shí)候均采用0.175微米制造工藝，良品率比較低。而如果將制造工藝提升到0.15甚至0.13微米的話，良品率將大大提高。而要達(dá)到這種工藝水平，采用CSP封裝方式則是不可避免的。因此CSP封裝的高性能內(nèi)存是大勢(shì)所趨